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MUN2213JT1G |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | ON Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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MUN2213JT1G参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) 晶体管类型：NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：338mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 拨动开关M2028BB1W01 Card EdgeRMC17DRXI-S734 通孔电阻器RNF18BTC26K4 DC DC ConVE-JWF-MY-F4 固定式SRP7030-R47M PMIC - 稳压LM2676SDX-12 RF 评估和开发套A1101R09A-EZ4A DC DC ConVI-2NP-EY-F3 PMIC - 稳压TPS77918DGKR DC DC ConVI-B5V-EX-F2 |
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